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CES2307A	文件：610.2 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2307B	文件：500.36 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2307BB	文件：407.74 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2308	文件：162.45 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■20V,5.4A,RDS(ON)=27mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=36mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2308	文件：655.4 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V,5.4A,RDS(ON)=27mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=36mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). RoHScompliant. SOT-23package. Ruggedandreliable. ESDProtected2KV.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2309	文件：139.06 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-20V,-2.2A,RDS(ON)=165mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=300mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2310	文件：549.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,4.8A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=60mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2310L	文件：482.79 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2312	文件：1.88321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
CES
制造商：
SIIG
功能描述：
7.1 Channel USB Audio Sound Card
功能描述：
USB 7.1 SOUNDCARD BLACK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区亿兴成电子商行	CES	ADI/亚德诺		SOT23-6	6698		询价
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更多CES供应商更新时间2025-7-13 8:01:00

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