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KSD1691	文件：1.1107 Mbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage&Large CollectorCurrent HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KSD1691	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent Feature •LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKSB1151	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD1691	文件：961.33 Kbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent ●HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KSD1691	文件：139.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=5A •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=2A •ComplementtoTypeKSB1151 APPLICATIONS •DesignedforuseinDC-DCconverter,ordriverofsolenoidormotor.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSD1691	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent Feature •LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKSB1151	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD1691	文件：185.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheKSD1691isalowVce(sat)transistorwhichhasalarge currentcapabilityandwideSOA ItissuitableforDC-DCconverterordriverofsolenoidor motor.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
KSD1691GS	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent Feature •LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKSB1151	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD1691OS	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent Feature •LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKSB1151	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD1691-TU	文件：1.1107 Mbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowCollector-EmitterSaturationVoltage&Large CollectorCurrent HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KSD1691YS	文件：52.87 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Feature •LowCollector-EmtterSaturationVoltage&LargeCollectorCurrent •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKSB1151	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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