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10BJ60CA	文件：1.58341 Mbytes Page：7 Pages	Marking：C60；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppressors (TVS) Data Sheet Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowprofilepackage Builtinstrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability 1000Wpeakpulsepowercapabilityat10/1000μswaveform, r epetitionrate(dutycycle):0.01	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
10SMBJ60CA	文件：3.35517 Mbytes Page：6 Pages	Marking：C60；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
DMC6070LFDH-7	文件：657.9 Kbytes Page：10 Pages	Marking：C60；Package：V-DFN3030-8；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ComplementaryPairMOSFET TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliab	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2SC6000	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Marking：C6000；Package：SC-76；Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC6052	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Marking：C6052；Package：SC-72；Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DMC6022SSD-13	文件：612.23 Kbytes Page：10 Pages	Marking：C6022SD；Package：SO-8；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features -LowInputCapacitance -LowOn-Resistance -FastSwitchingSpeed -TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) -HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) -QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMC6040SSD-13	文件：365.71 Kbytes Page：9 Pages	Marking：C6040SD；Package：SO-8；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowInputCapacitance LowOn-Resistance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
IDFW60C65D1	文件：1.34097 Mbytes Page：11 Pages	Marking：C60ED1；Package：PG-TO247-3-AI；Emitter Controlled Diode Rapid 1 Advanced Isolation Rapid Switching Emitter Controlled Diode in fully isolated package Features: •650VEmitterControlledtechnology •Temperaturestablebehaviourofkeyparameters •Lowforwardvoltage(VF) •Lowreverserecoverycharge(Qrr) •Lowreverserecoverycurrent(Irrm) •Maximumjunctiontemperature175°C •2500VRMSelectricalisolation,50/60Hz,t=1min •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
YJQC602B	文件：1.07378 Mbytes Page：9 Pages	Marking：C602B；Package：DFN2020-6L；N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

替换型号

晶体管资料

型号：
C608D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-11
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
C60
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - C (1W)
包装：
盒
类型：
高电压 - 非隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
11.5V
电压 - 输入（最大值）：
16V
电压 - 输出 1：
6000V
电流 - 输出（最大值）：
166µA
应用：
ITE（商业）
特性：
SCP
工作温度：
-10°C ~ 60°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
5-DIP 模块
大小 / 尺寸：
2.10" 长 x 1.11" 宽 x 0.50" 高（53.3mm x 28.2mm x 12.7
描述：
DC DC CONVERTER 6000V 1W

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