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丝印：C6144；Package：TO-220F-3SG；High-Current Switching Applications NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of MBIT process • Large current capacitance (IC=10A) • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=180mV(typ.)) • High-speed switching (tf=25ns(typ.)) Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：309.06 Kbytes 页数：4 Pages | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO | ||
C6144 | High-Current Switching Applications NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of MBIT process • Large current capacitance (IC=10A) • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=180mV(typ.)) • High-speed switching (tf=25ns(typ.)) Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers 文件：309.06 Kbytes 页数：4 Pages | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO |
详细参数
- 型号：
C6144
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP NPN 10A 50V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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