IDFW60C65D1

丝印：C60ED1；Package：PG-TO247-3-AI；Emitter Controlled Diode Rapid 1 Advanced Isolation Rapid Switching Emitter Controlled Diode in fully isolated package

Features: •650VEmitterControlledtechnology •Temperaturestablebehaviourofkeyparameters •Lowforwardvoltage(VF) •Lowreverserecoverycharge(Qrr) •Lowreverserecoverycurrent(Irrm) •Maximumjunctiontemperature175°C •2500VRMSelectricalisolation,50/60Hz,t=1min •

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Transistor & Diode-Diode-Silicon Power Diode-650V Rapid 1 and Rapid 2 Diode; • 650V 发射极控制技术\n• 关键参数的温度稳定行为\n• 低正向电压(VF)\n• 低反向恢复电荷(Qrr)\n• 低反向恢复电流(Irrm)\n• 最大结温 175°C\n• 2500 VRMS 电气绝缘, 50/60 Hz, t = 1 min\n• 经过测试的完全绝缘封装表面\n• 无铅镀层\n• 符合RoHS\n\n优势:\n• 与已发布的产品线一致\n• 无需使用绝缘材料和导热油脂\n• 与带有绝缘箔的标准 TO-247 相比，装配时间减少 35%\n• 提高产量，消除绝缘箔错位\n• 与具有绝缘材料的标准 TO-247 相比，Tc 降低至 10°C\n• 更高功率输出，增加高达 20%\n• 全面制造过程控制\n• 容易并联\n;

Rapid 1 开关650 V, 60 A 发射极控制硅功率二极管，具有TO-247高级绝缘封装和共阴极配置，是经济有效的解决方案。\n

IDFW60C65D1XKSA1

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY GP 650V 56A TO247-3

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5kWtwo-channelinterleavedCCMPFCEVALboard

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EmitterControlledDiodeRapid1CommonCathodeSeries