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BUL66A	文件：272.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 30(Min)@ IC= 0.3A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：272.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL66A	文件：19.94 Kbytes Page：2 Pages	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：19.94 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
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型号：
BUL66A
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

更多BUL66A供应商更新时间2025-12-22 14:30:00