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BUL65A

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 300V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

文件:273.35 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BUL65A

ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN

文件:24.38 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

BUL65A

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

BUS61554-600

CDIP

BUS98A

TO-3

MOT

详细参数

  • 型号:

    BUL65A

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全称:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN

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更多BUL65A供应商 更新时间2025-12-2 10:50:00