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BUL63B	文件：273.05 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：273.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL63B	文件：19.96 Kbytes Page：2 Pages	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：19.96 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUL63B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
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型号：
BUL63B
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

更多BUL63B供应商更新时间2026-4-18 16:30:00