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BUK761R6-40E | 丝印：BUK761R6-40E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：728.74 Kbytes 页数：13 Pages | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | |
BUK761R6-40E | 丝印：BUK761R6-40E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：728.74 Kbytes 页数：13 Pages | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
详细参数
- 型号：
BUK761R6-40E
- 功能描述：
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-13 14:14:00
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