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BUK961R4-30E	文件：520.46 Kbytes Page：15 Pages	型号：BUK961R4-30E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS logic level FET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK961R4-30E
功能描述：
MOSFET N-channel TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BUK961R4-30E供应商更新时间2025-7-30 14:01:00

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