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BUK963R2-40B	文件：734.48 Kbytes Page：13 Pages	型号：BUK963R2-40B；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS logic level FET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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BUK963R2-40B

文件：734.48 Kbytes

Page：13 Pages

型号：BUK963R2-40B；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS logic level FET

1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •AEC

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK963R2-40B
功能描述：
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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