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BUK963R2-40B规格书详情
1. General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
2. Features and benefits
• AEC Q101 compliant
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• Suitable for logic level gate drive sources
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
3. Applications
• 12 V loads
• Automotive systems
• General purpose power switching
• Motors, lamps and solenoids
产品属性
- 型号：
BUK963R2-40B
- 功能描述：
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2447 |
SOT404 |
100500 |
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Nexperia USA Inc. |
2022+ |
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38550 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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恩XP |
24+ |
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恩XP |
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PH |
24+ |
SOT404TO-263D2PAK |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT404 |
10990 |
原装正品 |
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恩XP |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT404 |
600000 |
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