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BUK763R9-60E

型号:BUK763R9-60E;Package:D2PAK;N-channel TrenchMOS standard level FET

1.Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinaSOT404packageusingTrenchMOStechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtoAECQ101standardforuseinhigh performanceautomotiveapplications. 2.Featuresandbenefits •AECQ101compliant •Repetitiveavalancher

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安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号:

    BUK763R9-60E

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多BUK763R9-60E供应商 更新时间2025-7-31 16:22:00