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BUK664R8-75C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
技术参数
- 型号：
BUK664R8-75C
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
68 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-263 |
70 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Nexperia USA Inc. |
21+ |
D2PAK |
4800 |
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恩XP |
25+ |
SOT404 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
TO-263-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
