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BUK652R0-30C中文资料N-channel TrenchMOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
BUK652R0-30C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
技术参数
- 型号：
BUK652R0-30C
- 功能描述：
MOSFET N-CHAN 30V 120A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
21750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-220AB |
18500 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
TO-220-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-220 |
20300 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
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询价 | ||
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24+ |
SOT-23 |
9480 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT78 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-TO-220AB |
76500 |
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询价 | ||
恩XP |
2022+ |
TO-220-3 |
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N |
25+ |
TO-TO-220 |
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