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BUK652R0-30C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.	Nexperia 安世	Nexperia
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更多BUK652R0-30C供应商更新时间2025-11-3 11:15:00