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BUK652R0-30C中文资料PDF规格书

BUK652R0-30C
厂商型号

BUK652R0-30C

功能描述

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

文件大小

466.52 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 16:18:00

产品属性

  • 型号:

    BUK652R0-30C

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    MOSFETN CH30V120ASOT78

  • 功能描述:

    MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78

  • 功能描述:

    MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    120A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    30V; On Resistance

  • Rds(on):

    1.9mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    2.3V; No. of

  • Pins:

    3 ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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