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BUK6607-75C中文资料N-channel TrenchMOS FET数据手册Nexperia规格书
BUK6607-75C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
特性 Features
• AEC Q101 compliant
• Suitable for intermediate level gate drive sources
• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
应用 Application
• 12 V and 24 V Automotive systems
• Electric and electro-hydraulic power steering
• Motors, lamps and solenoid control
• Start-Stop micro-hybrid applications
• Transmission control
• Ultra high performance power switching
技术参数
- 制造商编号
：BUK6607-75C
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT404
- Package name
：D2PAK
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：75
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：7
- R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)
：8.6
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：9.7
- I_D [max] (A)
：100
- Q_GD [typ] (nC)
：35
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：123
- P_tot [max] (W)
：204
- Q_r [typ] (nC)
：129
- V_GSth [typ] (V)
：2.3
- Automotive qualified
：Y
- C_iss [typ] (pF)
：5610
- C_oss [typ] (pF)
：441
- Date
：2010-11-17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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