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BUK653R4-40C数据手册Nexperia中文资料规格书
BUK653R4-40C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
技术参数
- 型号：
BUK653R4-40C
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
28523 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-220AB |
22800 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT78 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
TO-220-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
- |
7087 |
NXP原厂渠道,2小时快速发货,大量现货库存 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 |
