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BUK653R3-30C数据手册Nexperia中文资料规格书
BUK653R3-30C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
技术参数
- 型号：
BUK653R3-30C
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 30V 100A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
50000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
恩XP |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
TO-220 |
68552 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
TO-TO-220AB |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
TO-220-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
Nexperia USA Inc. |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
