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BUK653R5-55C中文资料N-channel TrenchMOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
BUK653R5-55C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
26050 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
TO-220AB |
22800 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
TO-220-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
11016 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT78 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
- |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
19+ |
TO-220AB |
33519 |
询价 |
