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BU806中文资料NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BU806

参数属性

BU806 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 200V 8A TO220-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
TRANS NPN DARL 200V 8A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BU806规格书详情

描述 Description

High Voltage & Fast Switching Darlington Transistor
• Using In Horizontal Output Stages of 110° Crt Video Displays
• BUILT-IN SPEED-UP Diode Between Base and Emitter

简介

BU806属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BU806晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BU806

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 50mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 200V 8A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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