| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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BU806 | POWER TRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)
| MOSPEC MOSPEC |  | |
BU806 | 8.0 AMPERE DARLINGTON NPN POWER TRANSISTORS 60 WATTS 200 VOLTS ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB •Da | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  | |
BU806 | MEDIUM VOLTAGE NPN FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
BU806 | High Voltage & Fast Switching Darlington Transistor HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor •UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays •BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | |
BU806 | FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR
| bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 |  | |
BU806 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
BU806 | MEDIUM Voltage & Fast Switching DarlingtonTransistor DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. | TGS Tiger Electronic Co.,Ltd |  | |
BU806 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
BU806 | Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
BU806 | NPN Darlington Power Transistor ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage: VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
BU806 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationmountedin aTO-220plasticpackage. Theyarehighvoltage,highcurrentdevicesforfastswitchingapplications. CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor |  | |
BU806 | FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
BU806 | SEMICONDUCTORS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | |
BU806 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORv | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | |
BU806 | 包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 200V 8A TO220 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
BU806 | 包装：卷带（TR） 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 200V 8A TO220-3 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | ||
FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 400V 8A TO220-3 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | ||
LowVoltageandPowerApplications | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性质：
功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
400V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BU184,
- 最大耗散功率：
60W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-89
- vtest：
400
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
60
产品属性
- 产品编号：
BU806
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 50mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 200V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
540010 |
自己库存,有更多量 |
询价 | ||||
STE |
23+ |
TO-220 |
33280 |
原装正品价格优惠,长期优势供应 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-2-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO |
20000 |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
询价 | ||
ST |
1305+ |
TO-220 |
12000 |
公司特价原装现货 |
询价 | ||
33 |
询价 | ||||||
ST |
TO |
450 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
ST |
16+ |
原厂封装 |
4000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
SGS |
9723 |
36 |
原装正品现货供应 |
询价 |
