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BU112	文件：212.86 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors 文件：212.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU112	文件：126.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：126.56 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU112	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 550V 10A	NJS 新泽西半导体	NJS
J112	文件：110.89 Kbytes Page：4 Pages	JFET Chopper Transistor (N-Channel- Depletion) JFET Chopper Transistor N–Channel — Depletion 文件：110.89 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJD112	文件：306.48 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic 文件：306.48 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
TIP112	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W) 文件：146.97 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

晶体管资料

型号：
BU112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
CTV_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
550V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU115,BU131,BU526,BU626A,BUY23A,BUY76,BUY69C,3DK308D,
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
550
htest：
999900
atest：
10
wtest：
85

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
550V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
3@2A@10AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
550V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
10V
Maximum Operating Temperature：
200ﾡC
Maximum Power Dissipation：
60000mW
Maximum Transition Frequency：
6(Typ)MHz
Type：
NPN

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