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BU112中文资料Trans GP BJT NPN 550V 10A数据手册NJS规格书

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厂商型号

BU112

功能描述

Trans GP BJT NPN 550V 10A

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:30:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BU112

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Single

  • Material

    :Si

  • Maximum Collector Base Voltage

    :550V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :3@2A@10AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :550V

  • Maximum DC Collector Current

    :10A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :10V

  • Maximum Operating Temperature

    :200ᄀC

  • Maximum Power Dissipation

    :60000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :6(Typ)MHz

  • Type

    :NPN

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