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BSS123-7	文件：67.49 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInp	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123-7	文件：67.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123-7-F	文件：367.31 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123-7-F	文件：128.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123-7-F	文件：1.73104 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PSB123-7IR	文件：57.5 Kbytes Page：4 Pages	3...8ASwitchingRegulators Inputvoltageupto144VDC Singleoutputof5.1to48VDC Noinput-to-outputisolation Features •RoHSleadsolderexemptioncompliant •Efficiencyupto96 •Lowinput-outputdifferentialvoltage •Noderatingovertemperature	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
PSB123-7IR	文件：96.25 Kbytes Page：3 Pages	3to8ASwitchingRegulators Inputvoltageupto144VDC Singleoutputof5.1to48VDC Noinput-to-outputisolation Features •RoHSleadsolderexemptioncompliant •Efficiencyupto96 •Lowinput-outputdifferentialvoltage •Noderatingovertemperature	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE

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更多BSS123-7-FIC供应商更新时间2024-4-28 14:43:00

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