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BSS215P	文件：1.45691 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMosfet Application @PWHapplications. Loadswitch @Powermanagement	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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BUZ215	文件：120.24 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeFREDFET) SIPMOS®PowerTransistor •Nchannel •Enhancementmode •FREDFET	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BUZ215	文件：65.64 Kbytes Page：2 Pages	Easydriverforcosteffectiveapplication DESCRIPTION •Highspeedswitching •LowRDS(ON) •Easydriverforcosteffectiveapplication APPLICATIONS •Automotivepoweractuatordrivers •Motorcontrols •DC-DCconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CDCLVP215	文件：312.28 Kbytes Page：10 Pages	LOW-VOLTAGEDUALDIFFERENTIAL1:5LVPECLCLOCKDRIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCLVP215RHBR	文件：312.28 Kbytes Page：10 Pages	LOW-VOLTAGEDUALDIFFERENTIAL1:5LVPECLCLOCKDRIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
BSO215C
功能描述：
MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
SIPMOS®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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