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BFP181TW	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC andWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP181W	文件：59.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP181W	文件：118.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181	文件：78.35 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181	文件：57.03 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR181	文件：133.44 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181	文件：619.16 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181T	文件：68.3 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR181T	文件：70.57 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181TF	文件：171.75 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditionto	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR181TW	文件：68.3 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR181W	文件：56.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor)Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR181W	文件：79.53 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •EasytousePb-free(RoHScompliant)andhalogenfreeindustrystandardpackagewithvisibleleads •Qualificationreport	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181W	文件：510.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR181W	文件：672.64 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY181	文件：148.75 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY181	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY181	文件：121.95 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.2dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFY181ES	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY181H	文件：29.15 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollector currentsfrom0,5mAto12mA. •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.2dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
BSM181(C)
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 36A I(D)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BSM181A	SIEMNES	21+ROHS	MODULE	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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