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BSM200GAL120DN2

IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)

IGBTPowerModule •Singleswitchwithchopperdiode •Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

详细参数

  • 型号:

    BSM200GAL120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块 1200V 200A GAL CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
module
1525
专营功率模块,现货库存
询价
Infineon
23+
NA
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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EUPEC/欧派克
19+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
询价
EUPEC
2025+
模块
32560
原装优势绝对有货
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EUPLE
23+
模块
3562
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EUPEC
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EUPEC
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200A1200V1
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SIEMENS
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模块
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价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询
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EUPEC
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200A/1200V/I
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INFINEON
17+
200A/1200V
9888
全新进口原装,现货库存
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更多BSM200GAL120DN2供应商 更新时间2025-5-28 11:30:00