选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华诺原芯科技有限公司1年
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INFINEONTISON-8 |
56461 |
23+ |
原装正品现货 当天发货 提供BOM |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
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INFINEONTDSON-8 |
38000 |
18+ |
进口原装现货,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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INFINEON/英菲凌PG-TDSON-8 |
30000 |
23+ |
绝对原装正品现货 只做原装 假一赔十 深圳现货 欢迎咨询 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
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INFINEON原厂封装 |
12000 |
新批次 |
一手货源原装现货,市场可送货,可含税 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
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INFINEONTDSON-8 |
6000 |
22+ |
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进口原装正品现货,假一罚十价格合理 |
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深圳市湘达电子科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
23000 |
22+ |
原装正品,假一罚十! |
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深圳市纽联电子有限公司1年
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infineonPG-TDSON-8 |
5020 |
1640+ |
MOSFET,双N沟道,30V,20A,7.2mΩ,PG-TDSON-8 |
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深圳市实中创科技有限公司1年
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INFINEON/英飞凌TDSON8 |
5000 |
22+ |
力挺实单只有原装 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
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INFINEON/英飞凌TDSON8 |
5000 |
22+ |
原装正品!现货! 李先生13751179224 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
5 |
16+ |
只做原装新到货力挺实单 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TSDSON8 |
20000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价优 |
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深圳市芯峰微电子科技有限公司1年
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INFINEONTDSON8 |
5000 |
22+ |
原装现货,假一赔十 |
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深圳市诺美思科技有限公司15年
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
5000 |
2014+ |
公司现货¥只做原装进口/假一赔十 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司5年
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INFINEONTDSON-8 |
4631 |
23+ |
原装正品公司现货 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONTDSON8 |
5000 |
22+ |
原厂直供一类客户价格无敌,实力现货商 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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Infineon/英飞凌TDSON-8 |
10000 |
24+ |
全新原装库存现货假一赔十,英飞凌长期大量现货供应 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
10000 |
24+ |
只做原装欢迎含税交易,有工程提供售后服务 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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INFINEON/英飞凌PGTSON8 |
7906200 |
24+ |
一站配齐,原盒原包现货原厂一手渠道联系 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
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TITDSON-8 |
15150 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
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INFINEONTDSON8 |
6800 |
最新 |
全新原装公司现货低价 |
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BSC090N03LSG价格
BSC090N03LSG价格:¥1.3502品牌:Infineon
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BSC011N03LST资讯
BSC084P03NS3G 封装TDSON-8 场效应管 原装现货 电子元器件
BSC084P03NS3G封装TDSON-8场效应管原装现货电子元器件
BSC016N04LSG
进口代理
BSC039N06NSATMA1
BSC039N06NSATMA1是一款具有高性能、低导通电阻、大电流处理能力、低输入和输出电荷、高温工作能力以及符合环保要求的功率MOSFET。它适用于各种需要高性能功率开关和高功率处理能力的应用,如电源管理、电机驱动、工业自动化等领域。
BSC0901NSIATMA1
BSC0901NSIATMA1是一款性能优异、高可靠性的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种高功率应用场合,如电源管理、电机驱动、照明控制等。
BSC096N10LS5ATMA1 功率场效应管
BSC096N10LS5ATMA1BSC360N15NS3GBSP752RBSP752T
BSC005N03LS5IATMA1 分立半导体产品 晶体管
BSC004NE2LS5ATMA1BSC005N03LS5ATMA1BSC005N03LS5IATMA1BSC009NE2LS5IATMA1
BSC011N03LST中文资料Alldatasheet PDF
更多BSC009NE2LS功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC009NE2LSATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
BSC009NE2LSATMA1/SAMPLE制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
BSC009NE2LSXT功能描述:MOSFET OptiMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC010C0075制造商:SOCKET SCREWS
BSC010N04LS功能描述:MOSFET 40V Super S08 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC010N04LSATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MV POWER MOS
BSC010N04LSATMA1/SAMPLE制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Bulk
BSC010N04LSI功能描述:MOSFET 40V Super S08 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC010N04LSIATMA1功能描述:MOSFET 40V 1.05 mOhm 100Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel