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BSC084P03NS3G 封装TDSON-8 场效应管 原装现货 电子元器件

2025-8-8 11:01:00
  • BSC084P03NS3G 封装TDSON-8 场效应管 原装现货 电子元器件

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 78.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V

Qg-栅极电荷: 57.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS P3

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 8 ns

正向跨导 - 最小值: 33 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 134 ns

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 33 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SP000473020 BSC84P3NS3GXT BSC084P03NS3GATMA1

单位重量: 100 mg