BSC039N06NSATMA1是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有以下主要功能和特点：
1. 高性能功率开关：BSC039N06NSATMA1具有低导通电阻和高开关速度，可实现高效率的功率开关操作，适用于需要高性能的功率应用。
2. 低导通电阻：该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）意味着在导通状态下，会产生很小的电压降，从而减少功率损耗和热量产生，提高系统效率。
3. 大电流处理能力：BSC039N06NSATMA1能够处理大电流，具有较高的额定电流和峰值电流能力，适用于需要处理高功率的应用。
4. 低输入和输出电荷：该功率MOSFET具有低输入和输出电荷特性，使得开关过程更加快速，减少功率损耗和开关噪声。
5. 高温工作能力：BSC039N06NSATMA1能够在高温环境下正常工作，适用于要求高温韧性和稳定性的应用场合。
6. 符合环保要求：该产品符合环保要求，不含有铅（Pb）等有害物质，安全可靠。
总结起来，BSC039N06NSATMA1是一款具有高性能、低导通电阻、大电流处理能力、低输入和输出电荷、高温工作能力以及符合环保要求的功率MOSFET。它适用于各种需要高性能功率开关和高功率处理能力的应用，如电源管理、电机驱动、工业自动化等领域。
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
BSC039N06NSATMA1
描述
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
原厂标准交货期
48 周
详细描述
表面贴装型 N 通道 60 V 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-6
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC039
