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BS223	文件：37.87 Kbytes Page：2 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦ High input impedance ♦ Low gate threshold voltage ♦ Low drain-source ON resistance ♦ High-speed switching ♦ No minority carrier storage time ♦ CMOS logic compatible input ♦ No thermal runaway ♦ No secondary breakdown 文件：37.87 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
BS2320-7R	文件：147.39 Kbytes Page：4 Pages	100 Watt DC-DC Converters Wide input voltage ranges from 8...385 V DC 1 or 2 isolated outputs up to 48 VDC 4 kV AC I/O electric strengh test voltage • Rugged electrical and mechanical design • Fully isolated outputs • Operating ambient temperature range –40...71°C with convection cooling 文件：147.39 Kbytes 页数：4 Pages	POWER-ONE	POWER-ONE
BS250	文件：239.4 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦ High input impedance ♦ High-speed switching ♦ No minority carrier storage time ♦ CMOS logic compatible input ♦ No thermal runaway ♦ No secondary breakdown 文件：239.4 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
BS250	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description: P-Channel, 60 V (D-S) MOSFET Package: SOT-23 Pin Out: Identical 文件：75.94 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BS250	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR Features ● High Input Impedance ● Fast Switching Speed ● CMOS Logic Compatible Input ● No Thermal Runaway or Secondary Breakdown 文件：62.31 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250	文件：50 Kbytes Page：8 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in TO-92 variant envelope and intended for use in relay, high-speed and line-transformer drivers. FEATURES • Low RDS(on) • Direct interface to C-MOS • High-speed switching • No second breakdown 文件：50 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BS250	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • High-Side Switching • Low On-Resistance: 8 • Low Threshold: −1.9 V • Fast Switching Speed: 16 ns • Low Input Capacitance: 15 pF BENEFITS • Ease in Driving Switches • Low Offset (Error) Voltage • Low-Voltage Operation • High-Speed Switching • Easily Driven Without Buffer AP 文件：62.88 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BS250F	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKING DETAIL - SP 文件：80.5 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
BS250F	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	BS250F PARTMARKING DETAIL - MX 文件：86.15 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250FTA	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKING DETAIL - MX 文件：86.15 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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晶体管资料

型号：
BS2
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
350MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSP61,
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-99
vtest：
80
htest：
350000000
atest：
1.5
wtest：
1.5

技术参数

VCES(v)：
650
Ic@100℃(A)：
200
Cies(nF)：
19.29
Cres(nF)：
0.85
Qg(nC)：
780
VCE sat typ（V）：
1.45
VGS(th)（V）typ：
5.33
IF(A)：
200
IFRM(A)：
400
ICES(MAX)/mA：
1

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