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BS250F	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKING DETAIL - SP 文件：80.5 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
BS250FTA	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKING DETAIL - MX 文件：86.15 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250FTA	文件：1.6117 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • High-Side Switching • Low On-Resistance: 3  • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.6117 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
BS250FTA	文件：3.15946 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Mosfet \| Application « Battery protection « Load switch © Power management 文件：3.15946 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BS250F_15	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET 文件：86.15 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250F	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
BS250FTA	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Mosfet	Techpublic 台舟电子	Techpublic

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
45 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.09 A
PD @ TA = +25°C：
0.33 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
14000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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