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BS250	文件：50 Kbytes Page：8 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinTO-92variantenvelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •LowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS •High-speedswitching •Nosecondbreakdown	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BS250	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR Features ●HighInputImpedance ●FastSwitchingSpeed ●CMOSLogicCompatibleInput ●NoThermalRunawayorSecondaryBreakdown	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
BS250	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:8 •LowThreshold:−1.9V •FastSwitchingSpeed:16ns •LowInputCapacitance:15pF BENEFITS •EaseinDrivingSwitches •LowOffset(Error)Voltage •Low-VoltageOperation •High-SpeedSwitching •EasilyDrivenWithoutBuffer AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
BS250	文件：239.4 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company
BS250	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
BS250	文件：273.95 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistor (P-Channel)	GE GE Industrial Company
BS250	文件：300 bytes Page：1 Pages	Enhancement-Mode MOSFET Transistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
BS250F	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET SOT23P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARTMARKINGDETAIL-SP	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BS250F	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	BS250F PARTMARKINGDETAIL-MX	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
BS250FTA	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKINGDETAIL-MX	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
45 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.09 A
PD @ TA = +25°C：
0.33 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
14000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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