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MBR835	文件：428.73 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR835RL	文件：138.45 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinvert	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB835	文件：331.03 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Gu	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBRD835	文件：137.58 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRD835	文件：246.37 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBRD835	文件：754.62 Kbytes Page：4 Pages	MBRD835SCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRD835L	文件：127.95 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifirersDPAKSurfaceMountPackage ThisSWITCHMODEpowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits.Thisstateoftheartd	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRD835L	文件：62.42 Kbytes Page：2 Pages	8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications •PlasticMaterial:ULFlammabilit	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBRD835L	文件：130.83 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •LowForwa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835L	文件：113.63 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
BS-C835RD
功能描述：
SINGLE DIGIT LED DISPLAYS

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