MBRD835L分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MBRD835L |
| 参数属性 | MBRD835L 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| 功能描述 | SWITCHMODE Power Rectifier |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-428 / TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
130.83 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 13:25:00 |
| 人工找货 | MBRD835L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MBRD835L规格书详情
MBRD835L属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的MBRD835L二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
This switch−mode power rectifier which uses the Schottky Barrier principle with a proprietary barrier metal, is designed for use as output rectifiers, free wheeling, protection and steering diodes in switching power supplies, inverters and other inductive switching circuits.
特性 Features
• Low Forward Voltage
• 150°C Operating Junction Temperature
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• Compact Size
• Lead Formed for Surface Mount
• SBRD8 Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
MBRD835L
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
SWITCHMODE™
- 包装：
散装
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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