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MBR835分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

MBR835
厂商型号

MBR835

参数属性

MBR835 封装/外壳为DO-201AA,DO-27,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD

功能描述

8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

封装外壳

DO-201AA,DO-27,轴向

文件大小

428.73 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称

KERSEMI

中文名称

Kersemi Electronic Co., Ltd.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 16:00:00

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MBR835规格书详情

Features

● Schottky Barrier Chip

● Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

● Low Power Loss, High Efficiency

● High Surge Capability

● High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

● For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Application

● Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

产品属性

  • 产品编号:

    MBR835RL

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AA,DO-27,轴向

  • 供应商器件封装:

    轴向

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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