BLP9H10-30G数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

30 W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 616 MHz to 960 MHz.

特性 Features

• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Designed for broadband operation
• Excellent thermal stability
• High power gain
• Integrated ESD protection
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

应用 Application

• FDD/TDD LTE
• GSM EDGE
• CDMA
• W-CDMA
• MC-GSM
• WiMAX

简介

BLP9H10-30G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLP9H10-30G晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。