BLP8G27-5数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

5 W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700MHz to 2700 MHz.

特性 Features

High efficiency
Excellent ruggedness
Designed for broadband operation
Excellent thermal stability
High power gain
Integrated ESD protection
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)

应用 Application

CDMA
W-CDMA
GSM EDGE
MC-GSM
LTE
WiMAX

简介

BLP8G27-5属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLP8G27-5晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。