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BLP27M810中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书

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厂商型号

BLP27M810

参数属性

BLP27M810 封装/外壳为16-VDFN 裸焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN

功能描述

Power LDMOS transistor

封装外壳

16-VDFN 裸焊盘

制造商

Ampleon Ampleon Netherlands B.V.

中文名称

安谱隆

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 20:49:00

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BLP27M810规格书详情

描述 Description

10 W LDMOS power transistor for broadcast and Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications at frequencies from HF to 2700 MHz. The BLP27M810 driver is designed for high power CW applications and is assembled in a high performance thermally enhanced plastic package.

特性 Features

• High efficiency
• High power gain
• Excellent ruggedness
• Excellent thermal stability
• Integrated ESD protection
• Designed for broadband operation (HF to 2700 MHz)
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

应用 Application

• Broadcast and Industrial, Scientific and Medical applications in the frequency range from HF to 2700 MHz

技术参数

  • 制造商编号

    :BLP27M810

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :18.4

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :32.0

  • ηD (%)

    :50.6

  • PL(1dB) (W)

    :10.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :40.0

  • Test Signal

    :CW class-AB @ 2450 MHz

  • Fmin (MHz)

    :10

  • Fmax (MHz)

    :2700

  • Status

    :Production

  • Matching

    :-

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