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BLP7G22-10数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
BLP7G22-10 |
参数属性 | BLP7G22-10 封装/外壳为12-VDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN |
功能描述 | LDMOS driver transistor |
封装外壳 | 12-VDFN 裸露焊盘 |
制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
中文名称 | 安谱隆 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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BLP7G22-10规格书详情
描述 Description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from700 MHz to 2700 MHz.
特性 Features
High efficiency
Excellent ruggedness
Designed for broadband operation
Excellent thermal stability
High power gain
Integrated ESD protection
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
应用 Application
CDMA
W-CDMA
GSM EDGE
MC-GSM
LTE
WiMAX
简介
BLP7G22-10属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLP7G22-10晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:BLP7G22-10
- 生产厂家
:Ampleon
- GP (dB)
:17.4
- PL(AV) (W)
:2.0
- Die Technology
:LDMOS
- VDS (V)
:28.0
- ηD (%)
:25.0
- PL(1dB) (W)
:10.0
- PL(1dB) (dBm)
:40.0
- Test Signal
:2-c W-CDMA
- Fmin (MHz)
:700
- Fmax (MHz)
:2700
- Status
:Not for design in
- Matching
:-
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