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BLP7G10S-160P中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书

厂商型号 |
BLP7G10S-160P |
参数属性 | BLP7G10S-160P 封装/外壳为SOT-1223-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2 |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封装外壳 | SOT-1223-2 |
制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
中文名称 | 安谱隆 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 19:09:00 |
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BLP7G10S-160P规格书详情
描述 Description
160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 600 MHz to 960 MHz.
特性 Features
• Integrated ESD protection
• Excellent ruggedness
• High power gain
• High efficiency
• Excellent reliability
• Easy power control
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
应用 Application
• RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 600 MHz to 960 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
:BLP7G10S-160P
- 生产厂家
:Ampleon
- GP (dB)
:20.0
- PL(AV) (W)
:null
- Die Technology
:LDMOS
- VDS (V)
:28.0
- ηD (%)
:62.0
- PL(1dB) (W)
:160.0
- PL(1dB) (dBm)
:52.0
- Test Signal
:Pulsed
- Fmin (MHz)
:600
- Fmax (MHz)
:960
- Status
:Production
- Matching
:I/O
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
VDFN-12 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装,正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
VDFN12 |
7420 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
12HVSON (5x6) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装,可来电咨询 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
4-HSOPF |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
TE/泰科 |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
QFN |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |