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BSS123	文件：493.66 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURE: ●RuggedandRelaible ●HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on) ●SurfaceMountPackage ●VoltageControlledSmallSignalSwitch VDS(V)=100V ID=0.17A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BSS123	文件：937.51 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BSS123A	文件：45.25 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123-G	文件：202.46 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123I	文件：1.02919 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOSTMSmall-Signal-Transistor,100V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123K	文件：433.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BSS123K	文件：459.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage HighDrain-SourceVoltageRating ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplications	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123K	文件：237.94 Kbytes Page：6 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=0.17A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
BSS123L	文件：1.69212 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123L	文件：486.71 Kbytes Page：5 Pages	MOSFETN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheBSS123L isavailableinSOT23package FEATURES AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

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