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BSS123	文件：367.31 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：128.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：128.509 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：627.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •VoltageControlledSmallSignalSwitch •SurfaceMountPackage •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BSS123	文件：711.86 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Applications ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BSS123	文件：351.97 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description TheseN-Channelenhancementmodefieldeffecttransistorsusesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseproductsareparticularlysuitedforlowvoltage,lowcurr	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
BSS123	文件：3.46577 Mbytes Page：8 Pages	SIPMOS??Small-Signal-TransistorFeature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：671.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURE ●Pb-FreePackageisavailable. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
BSS123	文件：29.38 Kbytes Page：4 Pages	N-channelTrenchMOStransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS123	文件：1.00704 Mbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET NChannelMOSFET FEATURE ●SurfaceMountPackage ●HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ●VoltageControlledSmallSignalSwitch ●RuggedandReliable APPLICATION ●SmallServoMotorControls ●PowerMOSFETGateDrivers ●SwitchingApplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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