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BSP123	文件：114.63 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSP123	文件：2.54348 Mbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：56.92 Kbytes Page：4 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. TheBSS123issuppliedintheSOT23subminiaturesurfacemountingpackage. FEATURES •’Trench’technology •Extremelyfastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiatur	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS123	文件：45.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123	文件：133.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS123	文件：284.54 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：67.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingDIODESproprietary,highdensity,usesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperform	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：77.44 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor SIPMOS®Small-Signal-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：145.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：98.79 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:6.0Ω LowInputCapacitance:20PF LowOutputCapacitance:9PF LowThreshole:2.8V FastSwitchingSpeed:20ns Application: DCtoDCConverter Cellular&PCMCIACard CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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