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BSS123K	文件：459.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage High Drain-Source Voltage Rating ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications 文件：459.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS123K	文件：237.94 Kbytes Page：6 Pages	丝印：B123KX；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features ● VDS = 100 V,ID = 0.17A RDS(ON) 文件：237.94 Kbytes 页数：6 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
BSS123K	文件：433.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：433.02 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
BSS123K-13	文件：459.51 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K12；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage High Drain-Source Voltage Rating ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications 文件：459.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS123K-7	文件：459.51 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K12；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage High Drain-Source Voltage Rating ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications 文件：459.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS123KN3	文件：448.72 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features • High ESD • Easily designed drive circuits • High speed switching • Low-voltage drive • Pb-free lead plating and halogen-free package • Easy to use in parallel 文件：448.72 Kbytes 页数：9 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BSS123K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. •Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•High Drain-Source Voltage Rating\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•For automotive applications requiring specific chan;	Diodes 美台半导体	Diodes
BSS123K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal MOSFETS	MCC 美微科	MCC
BSS123K	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Channel MOSFET	SILIUP 矽普特科技	SILIUP

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
0.17
VTH(V)：
1.5
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
6100
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
6800
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
6500
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
8000
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
29
QG(nC)：
1.7
PD(W)：
0.35
Specialfeature：
ESD

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更多BSS123K供应商更新时间2026-4-19 11:06:00

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