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BSS123	文件：1.54835 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BSS123	文件：143.93 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET FEATURES •’Trench’technology •Extremelyfastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemounting package GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode field-effecttransistorinaplastic envelopeusing’trench’ technology. Applications:- •Relaydriver •High-spe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS123	文件：1.51624 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance High-speedswitching Drivecircuitscanbesimple Paralleluseiseasy	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS123	文件：493.66 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURE: ●RuggedandRelaible ●HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on) ●SurfaceMountPackage ●VoltageControlledSmallSignalSwitch VDS(V)=100V ID=0.17A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
BSS123A	文件：45.25 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123-G	文件：202.46 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123I	文件：1.02919 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOSTMSmall-Signal-Transistor,100V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS123K	文件：433.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BSS123K	文件：459.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage HighDrain-SourceVoltageRating ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplications	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123K	文件：237.94 Kbytes Page：6 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=0.17A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
BSS123L	文件：1.69212 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS123L	文件：486.71 Kbytes Page：5 Pages	MOSFETN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheBSS123L isavailableinSOT23package FEATURES AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
BSS123N	文件：633.16 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •Logiclevel(4.5Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant,Halogenfree	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS123Q	文件：532.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage HighDrain-SourceVoltageRating TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheBSS123Qissuitableforautomotiveapplicat	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123W	文件：1.07264 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BSS123W	文件：216.64 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description ThisN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,trenchMOSFETtechnology.Thisproductminimizeson-stateresistancewhileprovidingrugged,reliableandfastswitchingperformance.Thisproductisparticularlysuitedforlow-voltage,low-c	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123W	文件：2.06458 Mbytes Page：5 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BSS123W	文件：67.49 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInp	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123W	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BSS123W	文件：152.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •HighDrain-SourceVoltageRating •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice,Note3and4	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
BH123
制造商：
ADAM-TECH
制造商全称：
Adam Technologies, Inc.
功能描述：
BATTERY HOLDERS & SNAPS AA, AAA, C, D & COIN CELL

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