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BGA855N6中文资料GNSS LNAs数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BGA855N6

参数属性

BGA855N6 封装/外壳为6-XFDFN;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:RF MMIC

功能描述

GNSS LNAs
RF MMIC

封装外壳

6-XFDFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:24:00

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BGA855N6规格书详情

描述 Description

BGA855N6 旨在增强 L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度,尤其适用于非常高的精度。除了 GPS L5 和 L2 之外,GNSS LNA 还覆盖伽利略 E5a、E5b、E6、格洛纳斯 G3、G2 和北斗 B3 和 B2 频段,频率范围为 1164 MHz 至 1300 MHz。LNA 提供 17.8 dB 增益和 0.6 dB 噪声系数,电流消耗为 4.8mA。BGA855N6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.1 V 至 3.3 V。

特性 Features

• 用于 L2/L5 频率的 GPS LNA
• 改进 GPS 的室内导航
• 专为高精度 GPS 设备设计

应用 Application

• 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

简介

BGA855N6属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的BGA855N6射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BGA855N6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IIP3

    :1 dBm

  • NF

    :0.6 dB

  • P-1dB (in)

    :-11

  • VCC operating

    :1.1 V to 3.3 V

  • Gain

    :17.8 dB

  • Frequency

    :1164-1300 MHz

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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