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BGA855N6数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

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厂商型号

BGA855N6

参数属性

BGA855N6 封装/外壳为6-XFDFN;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:RF MMIC

功能描述

RF & Wireless Control-Low Noise Amplifier LNA ICs-GPS / GLONASS / COMPASS LNA-
RF MMIC

封装外壳

6-XFDFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:25:00

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BGA855N6规格书详情

描述 Description

The BGA855N6 is designed to enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5 especially for very high accuracy.

特性 Features

·GPS LNA for L2/L5 Frequency
·Improves GPS accuracy into cm range (~30 cm)
·Improves GPS for indoor navigation
·1.2 V support
·Designed for high precision GPS devices

应用 Application

Enhance GNSS signal sensitivity for band L2/L5, especially for very high accuracy.
Besides GPS L5 and L2, the GNSS LNA also covers Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2 and Beidou B3 and B2

简介

BGA855N6属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的BGA855N6射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BGA855N6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :TSNP-6-10

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Gain [dB]

    :17.8

  • I [mA]

    :4.8

  • Frequency

    :1164-1300 MHz

  • NF [dB]

    :0.6

  • P-1dB in

    :-14

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