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BGA729N6中文资料多功能 LNA数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BGA729N6

参数属性

BGA729N6 封装/外壳为6-XFDFN;包装为带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP 70MHZ-1GHZ TSNP6-2

功能描述

多功能 LNA
IC RF AMP 70MHZ-1GHZ TSNP6-2

封装外壳

6-XFDFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:00:00

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BGA729N6规格书详情

描述 Description

BGA729N6 是一款宽带低功耗低噪声放大器 (LNA) MMIC,适用于便携式和移动电视应用,其频率范围覆盖 70 MHz 至 1000 MHz。在应用配置中,LNA 在 6.0 mA 的电流消耗下提供 16.3 dB 增益和 1.1 dB 噪声系数。在旁路模式下,LNA 提供 -4.0dB 的插入损耗。BGA729N6 基于英飞凌科技 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。

特性 Features

• 插入功率增益:16.3 dB
• 低噪声系数:1.1 dB / 高增益/旁路模式下 4.3 dB
• 关机功能
• 三态控制:关闭、旁路和高增益模式
• 超小型 TSNP-6-2 无引线封装(尺寸:0.7 x 1.1 mm2)
• 无需外部匹配电感
• 仅需 2 个外部 SMD 元件
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

应用 Application

• 移动设备和智能手机解决方案

简介

BGA729N6属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的BGA729N6射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BGA729N6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IIP3

    :-6 dBm

  • NF

    :1.05 dB

  • P-1dB (in)

    :-15

  • VCC operating

    :1.5 V to 3.3 V

  • Gain

    :16.3 dB

  • Frequency

    :70 - 1000 MHz

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